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Samsung Electronics acelera el desarrollo de la próxima generación de memoria de alta ancho de banda Los primeros HBM4E se producirán en mayo
Samsung Electronics está impulsando a toda velocidad el proceso de investigación y desarrollo de su próxima generación de memoria de alta ancho de banda (HBM), con el objetivo de consolidar aún más su ventaja en el mercado de memoria de inteligencia artificial de alta gama. Según informes, Samsung Electronics planea producir las primeras muestras de HBM4E que cumplen con los estándares de Nvidia a más tardar en mayo de 2026. Fuentes de la industria revelan que Samsung tiene un plan de tiempo claro y compacto. Su objetivo es, antes de mediados del próximo mes, lograr que el departamento de fabricación produzca con éxito muestras del chip lógico central de HBM4E.