## 记忆体族群跃升台股焦点：华邦电NAND Flash厂商排名领先，涨停背后的基本面转变

记忆体市场供给端正发生根本性转折。国际大厂为抢占高频宽记忆体（HBM）市场，纷纷将产能从传统DRAM与快闪记忆体（Flash）转移，导致全球记忆体供应出现明显缺口。在这波结构性短缺中，华邦电作为全球NAND Flash厂商排名靠前的台湾制造商，成为最直接的受惠者。

### AI需求引爆供给紧张，DDR4现货价出现历史级别涨幅

过去一年，DRAM市场库存水位从年初的13至17周迅速下降到10月的2至4周，库存之低前所未有。更引人注目的是DDR4规格的供需反转——主流厂商优先配置产能给新一代DDR5与HBM产品，导致DDR4供应急剧萎缩，而企业级存储设备对DDR4的需求却持续强劲。

这种错配造就了惊人的价格涨幅：DDR4合约价从年初每颗约新台币1元多，到第四季已翻升5至6倍。市场甚至出现罕见的「价格倒挂」——DDR4现货价一度超过DDR5，显示供给端面临严峻压力。

### 华邦电营收创三年新高，法人机构同步看多

华邦电11月合并营收达86.29亿元，不仅月增5%，年增更高达38.7%，创造三年来新高。前11个月累计营收796.35亿元，年增5.85%，营收动能明显加快。

外资机构近期密集发布乐观报告，认为记忆体涨价潮可望延续至2026年，并特别强调DDR4中16Gb规格的供应缺口最严重——现货价已飙至每颗约100美元，远高于业界参考价45.5美元。展望2026年，DRAM合约价预期将持续上升，其中DDR5与DDR4分别估价每颗17元与12元，暗示这波循环至少延续至明年。

### 股价连三日上扬，技术面与筹码面同步转强

华邦电今日封住涨停，收盘于67.9元，涨幅9.87%，成交量与成交值双双位居台股之冠。这是股价连续第三个交易日上扬，累计涨幅已达20.37%，并带动旺宏、力积电等整个记忆体族群同步走扬。

技术面上，股价今日触及布林带上轨，稳站短期均线之上，形成明确多头排列。资金面同样活跃，三大法人上周同步加码，合计买超超过5万张，其中外资单周买超即超过4.2万张。

### 双轴产能扩充启动，抢进结构性短缺机遇

为掌握市场机会，华邦电正推动产能双轴扩张：台中厂持续拉升NOR Flash、NAND Flash与成熟制程DRAM产出；高雄新厂DRAM月产能将由现阶段1.5万片晶圆大幅拉升至2.4至2.5万片，预计2026年第一季量产16纳米先进制程，并从2027年开始CUBE晶圆级堆叠技术将对营收产生贡献。

市场预估2026年全球DDR4供需缺口将扩大至10%以上。在人工智能、工业电脑、车用电子等多元应用需求共同驱动下，华邦电有望在记忆体产业的上升周期中迈入获利成长最显著的阶段。台湾记忆体业者库存周转天数已从185天下降至140天，营收与获利能力改善幅度明显，整体族群后续表现将紧密跟随记忆体报价与终端实际需求变化而定。