O setor de armazenamento de ações americanas (principalmente chips de armazenamento de semicondutores, como DRAM, NAND Flash, memória de alta largura de banda HBM, e soluções de armazenamento empresarial) é o principal beneficiário do crescimento explosivo dos centros de dados de IA. Atualmente, as principais empresas listadas são as seguintes, categorizadas por sub-setores para facilitar a compreensão:
1. Principais players de DRAM & HBM (memória de alta largura de banda)
Micron Technology (MU) - NASDAQ Terceiro maior fabricante mundial de DRAM, líder em HBM, única fabricante de DRAM nos EUA. A demanda por HBM em servidores de IA disparou, sendo a Micron fornecedora principal do HBM3E da NVIDIA. O preço das ações dobrou até 2025.
Electronics (SSNLF) - OTC (mercado paralelo) Maior participação de mercado global de DRAM (cerca de 43%), também líder em HBM. Embora não seja uma ação estritamente americana, possui alta liquidez e é frequentemente mantida por investidores dos EUA.
2. Principais players de NAND Flash & SSD empresarial
Western Digital (WDC) - NASDAQ Através da SanDisk, tornou-se a terceira maior fabricante mundial de NAND, focando em SSDs empresariais e armazenamento híbrido de HDD+SSD de alta capacidade. O valor das ações subiu mais de 130% até 2025, sendo a primeira escolha para armazenamento de grande capacidade em centros de dados de IA.
Seagate Technology (STX) - NASDAQ Gigante tradicional de HDDs, lançou recentemente discos rígidos empresariais de capacidade superior a 30TB. Como o treinamento de IA requer armazenamento frio em grande escala, suas ações também tiveram um crescimento impressionante em 2025.
3. Armazenamento empresarial de memória flash/armazenamento definido por software
Pure Storage (PSTG) - NYSE Líder em arrays de memória flash pura, com modelo de assinatura e alta margem de lucro, muito apreciado por clientes empresariais na era da IA. Os analistas estão otimistas, com crescimento estável até 2025.
NetApp (NTAP) - NASDAQ Fabricante veterana de armazenamento híbrido em nuvem, com sistema ONTAP que suporta cargas de trabalho de IA. Margem de lucro superior a 70%, fluxo de caixa extremamente forte.
4. Outros relacionados (chips de interface/ módulos de memória)
Rambus (RMBS) - NASDAQ Fornece IP de interface GDDR/HBM, essencial para placas gráficas de IA. Seus preços tendem a subir junto com os de armazenamento até 2025.
O consenso atual de mercado (novembro de 2025) indica que o ciclo de armazenamento entrou em uma fase de forte alta: os preços contratuais de NAND/DRAM aumentaram continuamente por 6 trimestres, com previsão de escassez de oferta até 2026. A IA é o maior motor: um cluster de 8 GPUs requer mais de 1TB de HBM e centenas de TB de SSDs empresariais.
Combinação recomendada: MU (benefício puro de HBM) + WDC (melhor relação custo-benefício) + PSTG (assinaturas empresariais com maior previsibilidade).
Ver original
Esta página pode conter conteúdos de terceiros, que são fornecidos apenas para fins informativos (sem representações/garantias) e não devem ser considerados como uma aprovação dos seus pontos de vista pela Gate, nem como aconselhamento financeiro ou profissional. Consulte a Declaração de exoneração de responsabilidade para obter mais informações.
O setor de armazenamento de ações americanas (principalmente chips de armazenamento de semicondutores, como DRAM, NAND Flash, memória de alta largura de banda HBM, e soluções de armazenamento empresarial) é o principal beneficiário do crescimento explosivo dos centros de dados de IA. Atualmente, as principais empresas listadas são as seguintes, categorizadas por sub-setores para facilitar a compreensão:
1. Principais players de DRAM & HBM (memória de alta largura de banda)
Micron Technology (MU) - NASDAQ
Terceiro maior fabricante mundial de DRAM, líder em HBM, única fabricante de DRAM nos EUA. A demanda por HBM em servidores de IA disparou, sendo a Micron fornecedora principal do HBM3E da NVIDIA. O preço das ações dobrou até 2025.
Electronics (SSNLF) - OTC (mercado paralelo)
Maior participação de mercado global de DRAM (cerca de 43%), também líder em HBM. Embora não seja uma ação estritamente americana, possui alta liquidez e é frequentemente mantida por investidores dos EUA.
2. Principais players de NAND Flash & SSD empresarial
Western Digital (WDC) - NASDAQ
Através da SanDisk, tornou-se a terceira maior fabricante mundial de NAND, focando em SSDs empresariais e armazenamento híbrido de HDD+SSD de alta capacidade. O valor das ações subiu mais de 130% até 2025, sendo a primeira escolha para armazenamento de grande capacidade em centros de dados de IA.
Seagate Technology (STX) - NASDAQ
Gigante tradicional de HDDs, lançou recentemente discos rígidos empresariais de capacidade superior a 30TB. Como o treinamento de IA requer armazenamento frio em grande escala, suas ações também tiveram um crescimento impressionante em 2025.
3. Armazenamento empresarial de memória flash/armazenamento definido por software
Pure Storage (PSTG) - NYSE
Líder em arrays de memória flash pura, com modelo de assinatura e alta margem de lucro, muito apreciado por clientes empresariais na era da IA. Os analistas estão otimistas, com crescimento estável até 2025.
NetApp (NTAP) - NASDAQ
Fabricante veterana de armazenamento híbrido em nuvem, com sistema ONTAP que suporta cargas de trabalho de IA. Margem de lucro superior a 70%, fluxo de caixa extremamente forte.
4. Outros relacionados (chips de interface/ módulos de memória)
Rambus (RMBS) - NASDAQ
Fornece IP de interface GDDR/HBM, essencial para placas gráficas de IA. Seus preços tendem a subir junto com os de armazenamento até 2025.
O consenso atual de mercado (novembro de 2025) indica que o ciclo de armazenamento entrou em uma fase de forte alta: os preços contratuais de NAND/DRAM aumentaram continuamente por 6 trimestres, com previsão de escassez de oferta até 2026.
A IA é o maior motor: um cluster de 8 GPUs requer mais de 1TB de HBM e centenas de TB de SSDs empresariais.
Combinação recomendada: MU (benefício puro de HBM) + WDC (melhor relação custo-benefício) + PSTG (assinaturas empresariais com maior previsibilidade).