隨著 AI 計算需求持續推升高頻寬記憶體（HBM）重要性，亞洲半導體產業正出現一波結構性調整。根據韓國媒體報導，Samsung Electronics 與 SK Hynix 正加速將內部資源轉向 HBM4 開發，同時調整供應鏈策略。對此，Citrini Research 韓國分析師 Jukan 近日發表產業觀點，指出一個「過去不存在的新市場」正在形成，HBM4 巨頭將光罩外包，而日本光罩廠商將成為潛在受益者。
HBM4 優先，光罩外包釋出新市場
根據《首爾經濟日報》報導，三星與 SK 海力士近期已將部分原本負責光罩（photomask）製造與檢測的資深工程師，重新分配至 HBM4 相關部門，以加速邏輯晶片整合與提升良率。這項調整導致部分原先由內部完成的光罩製程，開始轉向外部委託。
不過，兩大記憶體廠並未全面外包。最先進的 EUV（極紫外光）製程（2–5 奈米）光罩仍維持內部生產，外包範圍主要集中於較成熟製程。
Jukan 分析指出，這代表一個「過去不存在的新市場」正在形成。日本光罩廠商將成為潛在受益者，特別是在 DRAM 領域具備技術積累的企業，例如 Dai Nippon Printing（DNP）與 TOPPAN Holdings 旗下光罩業務。他認為，即便這類非 EUV 光罩的單價（ASP）不高，但需求從「零到一」的出現，本身就具備戰略意義。
SK 海力士下修 HBM4 出貨目標，實際產出反而增加
另一方面，SK 海力士正調整 HBM4 出貨策略。根據 ZDNet Korea，該公司計畫將今年供應給 NVIDIA 的 HBM4 出貨量下修 20% 至 30%，並以 HBM3E 與伺服器 DRAM 作為替代。
Jukan 估算，原先約 60 億 Gb 的 HBM4 出貨目標，下修後可能降至約 40 億 Gb。依此反推，今年市場上對應的 Rubin GPU 產量約落在 160 萬顆規模。但他強調，關鍵不在 GPU 數量，而在記憶體供給結構的變化。
從製程角度來看，HBM4 採用更大晶片面積與更細 TSV（矽穿孔）間距，使單片晶圓可用良品數下降；相較之下，HBM3E 良率已進入 80% 以上成熟區間。當產能從 HBM4 轉回 HBM3E 或 DDR5，實際 bit 產出反而增加。
HBM 價格壓力浮現，但需求可能對沖
這樣的轉移，將對價格形成壓力。Jukan 指出，目前市場上對 HBM3E 的漲價預期，可能因供給增加而受到抑制。然而，他也提出另一種可能：若充足的 HBM3E 能更快滿足 AI 推論伺服器需求，進而擴大整體推論市場（inference TAM），需求成長可能反過來支撐價格。
換言之，HBM 市場正進入「供給增加 vs. 需求爆發」的拉鋸階段。
利潤結構翻轉：DDR5 成為最大贏家
在利潤層面，這波調整反而對記憶體廠有利。Jukan 分析，伺服器 DDR5 的毛利率目前已顯著優於 HBM4，甚至預計在第二季突破 90%，比 HBM3E 高出超過 20 個百分點。這意味著，將產能配置到 DDR5，對廠商而言是更具吸引力的選擇。
這也帶出一個關鍵結論：HBM 不再是唯一的高毛利敘事，傳統 DRAM 正因 AI 伺服器需求重新獲得定價權。
三星壓力浮現，HBM4 時程恐延後
相較之下，三星的處境則顯得較為不利。Jukan 指出，即便 SK 海力士延後 HBM4 出貨，NVIDIA 也難以僅依賴三星的產能推進 Rubin GPU 大規模量產，最終可能導致整體產品時程延後。這反而給予 SK 海力士時間追趕，縮小雙方差距。同時，對三星而言，將產能投入 HBM4 也意味著放棄高利潤的 DDR5 機會成本，進一步壓縮策略彈性。
然而，對上游供應鏈而言，情勢則不樂觀。Jukan 特別點名，原本隨著 HBM4 推進而受惠的檢測設備廠，例如 DI 與 Unitest，可能面臨營收認列遞延風險。由於 HBM4 導入進度放緩，相關設備需求將同步延後，短期業績承壓。
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